电子器件制造装置用高纯炭素制品

电子器件制造装置用高纯炭素制品电子器件制造装置用高纯炭素制品

生产以记忆芯片为代表的电子器件，要经过多种处理工艺。图所示为有关形成电子器件回路的硅片处理工序。

硅片外延处理工序。在此工序中，以硅片为基板，在其表面生成同样的硅单晶的同时，通过掺加不纯物而形成p型层或n型层。外延工艺一般以CVD法(化学气相沉淀)为主流。其装置的概略如图所示。工艺流程为，用氟酸将硅片清洗，干燥后，贴置于基座上，然后加热升温，通入盐酸除去硅片表面的氧化层，生成外延层。基座要求选择具有不能伴有金属污染、耐高温及耐盐酸腐蚀、不与硅反应、没有气体发生等特性的材料。作为能满足这些要求的材

料，一般使用以高纯炭素制品为基材，通过CVD法在基材表面进行高纯SiC涂层的基座。

氧化、扩散工序。对于硅材料器件而言，这个工序是形成绝缘膜的最重要的工序。形成绝缘膜的方法有高温氧化法和CVD法。在单体处理式的等离子体CVD方法中，高纯炭素制品既是等离子体的放电电极，也是硅片的支撑板。其装置概略如图所示。这里所使用的材料，同样要求不能使用中伴有金属污染，而且需具有诱发等离子发生的导电性，以及对反应气体、电极板清洗气体的抗腐蚀性。为了解决石墨内部微量不纯物的发生问题，有时也使用在表面进行玻璃炭涂层或热分解涂层，或者浸渍的炭素制品。现在，单体式装置正在逐步减少，而代之以枚叶式装置。