石墨电极板形成工艺与离子注入装置

石墨电极板形成工艺与离子注入装置蚀刻工序。除去前道光刻工序所指定的细微部分，形成回路模式的工序称之为蚀刻工序。在此工序中，有使用液体的湿式蚀刻法和使用气体的干式蚀刻法。现在以能满足回路模式细微化要求的干式蚀刻法为主流。特别是等离子干式蚀刻法已成为主流，其装置概略如图所示。这里所使用的炭素产品有等离子发生用的上下石墨电极板，同时兼用作蚀刻气体整流用的吹气板，和防止等离子扩散用的聚焦环。如图所示，用于石墨电极板的材料有多种，一般根据所用的蚀刻对象和使用的气体而选择。

离子注入装置（接杂）。所谓离子注人就是以极高的速度将被加速的离生入书导体基板中，使用p型或口型离子不纯物即可生成p或n层。装置概略如图所示。由于离子被高能量加速，其中极少的离子会撞击装置的金属内壁，而被撞击出的金属壁离子会污染硅片，为了保护离子束通过的通道内壁、卡固离子束的石墨电极板和偏向电极部分，也使用石墨电极板。离子束撞击部位（如离子束挡销）的温度高达2000℃，从耐高温、抗热冲击的角度而言，石墨部件也不可或缺。

石墨电极板形成工艺。在真空状态下使与电极配线薄膜同样的材料使之蒸发，镀着于位置上与其相对的基板上的方法称为PVD(物理气相蒸镀）技术。PVD技术有真空蒸镀法，溅射法和离子喷镀法3种。其中使用石墨部件的是电子束真空蒸镀法，如图所示其方法是在石墨坩塌(Hearth Liner)中用热电子将蒸镀物质（主要为铝）加热蒸发。但是，现在的半导体工艺以溅射装置为主流，不使用石墨部件。现在的ISI工艺也不采用离子喷镀法。