其他器件制造用的高纯石墨部件

其他器件制造用的高纯石墨部件其他器件制造用的高纯石墨部件

说到器件和集成电路一般以硅器件（各种记忆单元、MPU)为代表，但是也有化合物半导体器件和LCD(液晶)。这类器件的制造装置也大多使用高纯石墨部件。下面仅介绍其中一部分。

（1）化合物半导体器件。最常见的化合物半导体器件有发光二极管和半导体激光。图所示为发光二极管的制造工艺。

这里所使用的石墨制品有制作（化合物）单品棒时加热用的加热器和坩塌，以及外延生长置艺用的工装。工业上所使用的外延生长法有液相外延法（LPE）和有机金属CVD(MOCVD)法。图2-37所示的是LPE法。LPE法的工艺为把化合物单晶片置于石墨滑板上，使熔融的同成分化合物（元素配合比不同）单晶片逐层成长，熔融物的容器也用石墨材料。工艺过程中若有金属成分混入，将阻碍二极管/激光的发光，所以必须使用高纯石墨部件。

(2）液晶。当今，液晶制品已成为电子显示技术所不可或缺的器件，今后，其使用范围还会不断扩大。液晶器件的制造使用玻璃基板，由于在基板上形成回路的方法与硅器件基本相同，其工艺过程也大量地使用炭素制品，由于版面所限不再详述，但其大有作为。

（3）液晶制造玻璃基板热处理用的石墨板。在对液晶显示装置用的玻璃基板进行缓冷处理时，使用内埋金属加热器的石墨板。为了防止石墨粉黏附在玻璃上，一般使用玻璃炭涂层石墨。另外，由于玻璃基板的平面度极为重要，要求石墨板自身的平面度要好。玻璃金属封

接用石墨板如图2-38所示。

（4）TFT型液晶显示用离子注入装置部件。作为液晶显示方式的一种，TFT方式是在Si薄膜上形成多个晶体管，但是需要添加掺杂物质的As或P。其做法与硅半导体同样也用离子注入法，部分装置也使用高纯石墨部件。由于离子束的冲击以及防止晶体管器件内混入掺杂物质以外的不纯物，也需要使用高纯石墨。