单晶硅石墨热场，光伏石墨热场
单晶硅石墨热场在单晶硅成长中虽占有重要地位，但存在易热震开裂、纯度操控难、大尺度成型受限、涂层易掉落、热场稳定性差等缺陷，具体分析如下：
热震开裂危险：石墨在重复高温热震下易发生裂纹，导致部件破损乃至安全事故。例如，石墨加热器在高温下与SiO反应会缩短使用寿命，而裂纹的存在会改变热传导性能，影响拉晶功率和晶体质量。
纯度操控应战：石墨件挥发的杂质或降解颗粒可能污染硅熔体，影响晶体品质。虽然高纯度石墨（纯度可达99.99%以上）可削减污染，但制备大直径产品时纯度要求更高，本钱也明显上升。
大尺度成型受限：传统石墨热场在制备大直径产品时成型困难，且纯度要求高导致制备本钱高昂、生产环节多、周期长。例如，36英寸以上石墨热场零部件的制造本钱和加工本钱均较高。
涂层易掉落问题：石墨资料与碳化硅的热膨胀系数不同，导致涂层简单掉落。而碳/碳复合资料与碳化硅的热膨胀系数接近，灰分更低，更适合作为热场资料。
热场稳定性不足：石墨热场设计不合理时，对称性差且加热功率高，浪费能源。同时，热场梯度分布的稳定性直接影响单晶硅的成长质量，石墨热场在此方面表现欠佳。
