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V型石墨舟皿的作业原理主要基于其共同的结构规划、资料特性及工艺适配性，经过物理支撑、热传导操控与化学维护机制，完结硬质合金、半导体等资料的高精度烧结或镀膜。以下是具体阐明：
一、物理支撑与限位：V型槽的精细定位
轴心精度保障
    V型槽的斜面规划经过几许限位，保证烧结过程中硬质合金段差圆棒/管的轴心偏差≤0.01mm。例如，在切削刀具制作中，这种精细定位可防止刀具旋转时的跳动，提高加工精度。
异形件适配
    经过替换不同规格的石墨片，舟皿可适配最小截面5mm×5mm的异形硬质合金件。石墨片层叠装置时，顶端与V型槽保持平行，保证段差部分均匀受力，防止部分应力集中导致的开裂。
模块化扩展
    组合式规划经过螺纹杆衔接多个舟皿单元，合作限位装置提高叠放气密性。例如，在烧结异形合金件时，模块化结构可快速调整装载空间，削减设备停机时间。
二、热传导操控：温度均匀性与翘曲抑制
W型双向斜槽的热对称性
    W型结构使产品受热愈加均匀，温差波动≤3℃。在硬质合金长条薄片烧结中，这种规划可消除部分过热导致的晶粒异常长大，提高资料韧性。
排气通槽的气体引导
    槽面设置的排气通槽引导脱胶气体沿预订途径逸出，防止部分气压过高导致的胶体残留。例如，在氢气脱胶工艺中，排气通槽可使胶体残留率从传统结构的15%降至2%以下。
Λ形通槽的叠放优化
    底面Λ形通槽与槽体结构构成空间互补效应，叠放时上层舟皿的支撑凸起落入基层通槽内，削减垂直方向空间占用。这种规划使炉内装载量提高25%以上，同时下降石墨资料消耗约15%-20%。
三、化学维护：防渗碳与抗腐蚀
涂料层阻断碳浸透
    V型槽和石墨片表面涂覆氮化硼等涂料层，厚度不小于0.18mm，可有效阻断碳浸透。在硬质合金烧结中，防渗碳规划可防止产品表面硬度下降（渗碳层硬度下降约15%-20%）。
棱角维护槽的边角防护
    底部支撑凸起与槽面交界处设置棱角维护槽，将产品与锐边触摸转为平面触摸，边角破损率由传统结构的5.2%降至0.8%。例如，在烧结钕铁硼磁体时，棱角维护槽可防止磁体边角崩裂，提高良品率。
耐腐蚀性气体环境适配
    在SiC外延成长炉中，石墨舟皿需接受1600℃/H2气氛下的接连运行，HCl气体腐蚀速率<0.1mg/cm2·h。这种耐腐蚀性保证了外延层厚度波动<±1.5%，满意第三代半导体制作需求。
四、工艺适配性：多场景使用的中心逻辑
氢气脱胶与真空烧结
    在硬质合金加工中，舟皿需在氢气气氛中完结脱胶（500-800℃）和真空烧结（1400-1600℃）。V型槽的排气规划可加速胶体蒸发，同时石墨的化学慵懒防止与合金元素反响，保证成分安稳。
半导体晶圆传输
    在12英寸晶圆ALD设备中，舟皿需满意NAS 1638 Class 3级洁净度标准（每立方米>0.5μm颗粒<1000个）。石墨的表面粗糙度Ra≤0.8μm，合作抗静电规划，可防止颗粒污染晶圆表面。
光伏电池片镀膜
    在PERC电池片PECVD工艺中，舟皿需在5分钟内阅历室温→800℃→冷却的剧烈温变。其热导率高达120W/(m·K)，可使表面温差<±2℃，碎片率从0.5%降至0.02%，单线日产能打破7000片。