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V型石墨舟皿的性能指标有哪些

作者:http://www.dgshimozhipin.com 发布时间:2026-04-02 11:23:41

V型石墨舟皿的功用方针包含材料特性、力学功用、热学功用、化学功用、结构精度及工艺适配性六大中心维度,具体方针及分析如下:
一、材料特性方针
纯度
    固定碳含量:≥99.9%,避免Fe、Si等杂质污染合金。例如,硬质合金烧结中,杂质或许导致晶界腐蚀或成分偏析。
    灰分:≤300ppm,下降高温下杂质蒸发危险,确保材料稳定性。
密度与孔隙率
    体密度:≥1.78g/cm3(光伏级)或≥1.85g/cm3(半导体级),高密度减少粉料渗透,行进结构强度。
    开孔率:≤12%(光伏级)或≤8%(半导体级),低孔隙率下降气体渗透和氧化速率。
粒度
    石墨粒度:<15μm,细晶结构行进力学功用和抗氧化性,减少高温下的晶界滑移。
二、力学功用方针
抗压强度
    标准值:≥115MPa(如五星石墨WX-5类型),确保承受高温高压环境下的机械载荷。
抗折强度
    标准值:≥51MPa(光伏级)或≥150MPa(硬质合金烧结专用),抵御曲折变形,避免槽体开裂。
开裂耐性
    查验办法:双扭法测KIC值,标准≥1.2MPa·m1/2,表征材料抗裂纹扩展才华。
抗热震性
    查验条件:1200℃-室温水淬,循环次数≥30次不分裂,适应急冷急热工况(如PERC电池银浆烧结)。
三、热学功用方针
热导率
    标准值:95-110W/m·K(光伏级)或115-135W/m·K(半导体级),确保温度均匀性(如舟皿外表温差<±2℃)。
热膨胀系数(CTE)
    标准值:光伏级或半导体级,低CTE减少热应力开裂危险。
比热容
    标准值:710-720J/kg·K(800℃),影响材料吸热/放热速率,优化热场稳定性。
四、化学功用方针
抗氧化性
    涂层处理:SiC/Si2N2复合涂层,氧化失重率下降90%,运用寿数从50次增至150次。
    查验条件:1600℃空气环境中加速氧化,失重率≤0.1mg/cm2·h。
抗腐蚀性
    HCl气体腐蚀速率:<0.1mg/cm2·h(SiC外延成长场景),避免涂层坠落或材料耗费。
化学慵懒
    适用气体:H?、Ar、N2等恢复性气氛,不与WC-Co、TiC等硬质合金组分反响。
五、结构精度方针
标准公役
    平面度:≤0.05mm/m(激光干涉仪检测),确保舟皿与炉管密封性。
    孔径公役:±0.01mm(气动量仪测量),适配精细装载需求。
    笔直度:≤0.03°(三坐标测量机验证),避免高速旋转时工件坠落。
外表粗糙度
    研磨标准:Ra≤0.8μm(2000目金刚石砂轮抛光),下降摩擦系数至0.1以下。
V型槽角度精度
    标准误差:≤±0.1°(CMM检测),确保四点接触定位稳定性,减少工件滑动危险。
六、工艺适配性方针
高温稳定性
    最高运用温度:2200℃(慵懒环境),耐受硬质合金烧结(1500-1800℃)或SiC外延成长(1600℃)。
洁净度
    颗粒污染:NAS 1638 Class 3级标准(每立方米>0.5μm颗粒<1000个),避免晶圆污染。
动态平衡功用
    旋转振荡:300rpm转速下径向跳动≤0.05mm,适配高速传输场景(如ALD设备)。
脱胶均匀性
    排气通槽规划:引导气体沿预订途径逸出,消除部分气压过高导致的胶体残留。

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